Oksidasi lokal silikon

Oksidasi lokal silikon, dalam bahasa Inggris disebut Local Oxidation of Silicon atau disingkat LOCOS, merupakan suatu proses fabrikasi mikro di mana silikon dioksida dibentuk dalam area terpilih pada wafer silikon yang memiliki antarmuka Si-SiO₂ pada titik yang lebih rendah daripada permukaan silikon secara keseluruhan. Pada 2008, proses ini digantikan dengan shallow trench isolation.

Struktur umum LOCOS:
1) Silikon (Si), 2) Silikon dioksida (SiO₂).

Teknologi ini dikembangkan untuk memisahkan transistor efek-medan semikonduktor logam oksida (MOSFET) terhadap satu sama lain dan membatasi cakap silang (cross-talk) transistor. Untuk tujuan rancangan dan analisis, oksidasi permukaan silikon dapat dimodelkan secara efektif menggunakan model Deal-Grove.^[1]

Lihat pula

Litografi ultraviolet ekstrim

Referensi

^ Liu, M.; Peng, J.; et al. (2016). "Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires". Theoretical and Applied Mechanics Letters. 6 (5): 195–199. doi:10.1016/j.taml.2016.08.002  .

Artikel bertopik fisika ini adalah sebuah rintisan. Anda dapat membantu Wikipedia dengan mengembangkannya.

Artikel bertopik elektronika ini adalah sebuah rintisan. Anda dapat membantu Wikipedia dengan mengembangkannya.

Artikel bertopik teknologi ini adalah sebuah rintisan. Anda dapat membantu Wikipedia dengan mengembangkannya.

[1] Liu, M.; Peng, J.; et al. (2016). "Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires". Theoretical and Applied Mechanics Letters. 6 (5): 195–199. doi:10.1016/j.taml.2016.08.002  .

[1]