MRAM
Artikel atau sebagian dari artikel ini mungkin diterjemahkan dari MRAM di en.wikipedia.org. Isinya masih belum akurat, karena bagian yang diterjemahkan masih perlu diperhalus dan disempurnakan. Jika Anda menguasai bahasa aslinya, harap pertimbangkan untuk menelusuri referensinya dan menyempurnakan terjemahan ini. Anda juga dapat ikut bergotong royong pada ProyekWiki Perbaikan Terjemahan. (Pesan ini dapat dihapus jika terjemahan dirasa sudah cukup tepat. Lihat pula: panduan penerjemahan artikel) |
MRAM atau Magnetoresistive Random Access Memory adalah memori (RAM) yang menggunakan teknologi electron spin untuk menyimpan informasi di sebuah komputer. MRAM telah disebut "memori yang ideal"[butuh rujukan], yang menggabungkan potensi kepadatan dari DRAM dengan kecepatan SRAM dan non-volatility dari flash memory atau cakram keras.
MRAM dapat menolak radiasi tinggi, dan dapat beroperasi dalam kondisi suhu yang ekstrem. MRAM sangat cocok untuk aplikasi militer dan ruang.
Keunggulan MRAM
suntingMRAM sebenarnya dapat menggantikan semua memori di komputer - DRAM, flash dan bahkan cakram keras. MRAM juga dapat bersaing dengan kecepatan SRAM (CPU cache memory). MRAM diaktifkan komputer akan dapat segera terpasang (karena tidak akan ada perlu ada beberapa tipe memori seperti hari ini).
MRAM dalam ponsel dapat berarti lebih banyak penyimpanan, dan lagi baterai.
Penjualan MRAM
suntingPada bulan Juli 2006, Freescale mulai menjual secara komersial MRAM modul pertama, dengan 4Mbit memori, seharga $AS 25. Saat itu masih sangat mahal dan rendah densitiy, dan mungkin sesuai yang sangat kecil daftar pilih pelanggan. Freescale melaporkan pada 2008, mereka sudah mampu menjual lebih dari satu juta chips, dan memiliki lebih dari 40 pelanggan untuk teknologi MRAM mereka.
Beberapa perusahaan lain yang juga bekerja pada MRAM, dan mencari waktu yang baik untuk ponsel dengan MRAM, MRAM atau Disk-On-Key kemungkinan pada 2010. Toshiba, misalnya, yang bekerja pada chip 1GB, dan mengatakan bahwa pada tahun 2015 akan menjadi kompetitor bagi DRAM
MRAM jenis baru
suntingAda beberapa "jenis baru" MRAM (STT-RAM, NV-RAM, dll), yang menjanjikan untuk memberikan kepadatan lebih tinggi dan lebih manufaktur yang lebih murah. Saat ini beberapa perusahaan (Hynix, Grandis, STT, Samsung) yang bekerja di STT-RAM (MRAM Spin Transfer), yang mungkin menjanjikan teknologi MRAM terbaru, meskipun terlalu dini untuk mengatakan hal itu.
Pranala luar
sunting- Artikel tentang MRAM oleh Toshiba Diarsipkan 2009-07-25 di Wayback Machine.
- MRAM: Teknologi Terbaru Memori Komputer, 10 Kali Lebih Cepat[pranala nonaktif permanen]
 | Artikel bertopik perangkat keras ini adalah sebuah rintisan. Anda dapat membantu Wikipedia dengan mengembangkannya. |